2015/10/16

A級シングル MOSFETパワーアンプ(6) MOS Power Bufferの試験

シングルAでのPower Bufferのテストをしました。
回路はヘッドホンアンプでの回路と同じトポロジーで入口の石を定電流化ドライブすることによりリニアリティを高めたアンプです。
Single MOS Power Buffer 

LT-SPICEでの回路図を示します。
この回路は電流帰還NFBが強力にかかっているのでM7、M1に何を使うかにより発振しやすいです。
入力、M7には低Crss、10pFの横型MOSFETを使いました。ここに近頃のトレンチ構造のスイッチング用Power MOSを使うと大きな入力容量の為にかなり高域カットオフが低くなります。2SK2554ではオーディオ帯域迄落ちてきました。 M1は電流増幅用で実際には2SK3497を使いました。

それでテスト結果ですが、小信号では低歪であり、音を聞いても結構良かった。

ところが、出力がクリップするような高域信号を連続入力していた時、変なにおいを感じました。

電流検出用のR12メタルクラッド抵抗が熱くなってて、それを指で触ったものですから、火傷してしまいました。シミュレーションしてみると数10KHz以上の大振幅信号の入力があると貫通電流が流れる時間帯があり数アンペアが流れます。この時は定電流回路の機能喪失しているのでかなり危険です。

小出力のパワーアンプなのでクリップしたりすることも大いにありうるので、そのようなときはかなりヤバいのでこの回路の起用は断念しました。

次にに考えたのは、全段直結DCアンプでも複雑になるプッシュプルや差動を使わないでシングル動作だけで簡単に実現出来ないか?というものです。

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