2015/10/03

A級シングル MOSFETパワーアンプ(5)のシャーシ作り、ハイブリッドA級シングルアンプ(5)改め

ハイブリッドA級シングルアンプを検討していましたが、少し方向を変更します。

「半導体シングルAアンプ」になります。

変更理由は初段を直熱管4P1Lにするときの物量と最高出力がかろうじて4W+4Wというアンバランスゆえ
「大きなシャーシに小さな出力」となってしまい、どうにもカッコがつかないな。という事での変更です。

この種の心変わりはテツの場合、よく起こる事なので、そういえば、あれはどうなってたか等とは勘ぐったりしないでください。 DIYアマチュアは会社と違い好き勝手に変更できるのです。

でも、4P1L直熱管増幅はかなり検討を重ねたので面白いものができそうです。出力段は同極性SIT 
2SK82のオリジナルSEPP回路もシミュレーションは終わったのでいずれ取り掛かることでしょう。

さて半導体シングルAアンプはシミュレーションは終わり、DCサーボ付き全段直結の回路がLT-SPICE上で動いてます。出力段MOSの選択範囲も2SK1056だけではなく、大電流MOS、2SK2554等も選択肢に入りそうです。

さてこれに先立ち実験用のシャーシを組み立てました。
シャーシも市販品には思うようなのがないし、あっても高いしと色々問題アリなので、自作することにしました。

材料は
とりあえず

  • アルミアングル(15mmx15mm、t;1.5、2m長)
  • MDF板    (320x276mm t;12mm)
  • ヒートシンク  (45mmx276mm) 中古2本
  • 前後パネル  (320x70mm t1.5) タカチOSシリーズより。購入予定
  • ゴム足     4個

です。

うまくいけばそのまま実験機から本番への格上げも考えてるので、できるだけきれいに作るつもりです。

構造は、ベースプレートにアングルでできたフレームを付け、スキンとしての前後パネルをつけ、ヒートシンクは構造材も兼ねさせる算段です。

シャーシは組みあがり、そこに主要部品、出力段用ヒータトランス2個、整流回路、前段用電源トランスなどをポジショニングのために置いてみました。

この前にアルミアングル・フレームを加工しました。このフレームは単なる板の場合と違い、剛性が高く、コーナーを固めればかなり変形しにくいのでよく使ってます。

アルミアングルをノギスでマーキングし、金のこで裁断の後、コーナーになる部分に正確に45度ずつの切り込みを入れます。曲げる位置のマーキングは最終寸法よりも板厚の分だけ小さくしておくのがポイントです。

曲げるときは直角が出るように万力でくわえ、きれいな90度に曲がる様に、プラスチックハンマーで叩くのがいいです。

その後寸法通りに加工しアクリルスプレーで色を付けたベースプレートに貫通穴を開けねじ止めしました。

側板代わりのヒートシンクは大型ヒートシンクを半分に割ったもので、ケースサイズ、熱抵抗的にもぴったりでした。これのフレームへの取り付けはねじ位置を決めた後に4mmタップでねじ穴を作ってます。
また、パワーMOSの取り付け用に3mmネジ穴を2個ずつ開けてきます。

ヒートシンクの上下は隙間を開けてエアフローが起こるようにしてます。
このフレーム前後にアルミパネルがつくので、熱の放散にはこれらのパネルも参加してくれる事でしょう。

発熱は片チャネルで18W程度の見込みです。

このシャーシは安く仕上がりますのでお勧めです。 でもボール盤やノギス、タップなどは必要ですね。工作精度が悪いとうまくいきませんので。
最終的にはゴム足をつけ上下をひっくり返せば、見栄えもそう悪くはないのではと思ってます。



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